一种紫外发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201921513420.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211182231U | 公开（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申请公布号 | CN211182231U | 申请公布日 | 2020-08-04 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 霍瑞霞;崔志勇;薛建凯;郭凯 | 申请（专利权）人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 地址 | 100000北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利公开了一种紫外发光二极管，其包括：外延结构；微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上。通过上述方案由P型半导体材料层、薄型化微孔结构层、P型欧姆接触层组成全方位反射镜。发光层发出的光经过ODR的反射从N电极发出，利用微孔结构和空气界面的全反射及菲涅耳散射，从而最大化地减少现有技术存在的金属反射镜的金属对紫光的吸收，提高了光的提取效率。 |
