一种紫外发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201921509586.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211182233U | 公开（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申请公布号 | CN211182233U | 申请公布日 | 2020-08-04 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 王雪;崔志勇;张晓娜;张向鹏;薛建凯;郭凯;李勇强;文晋 | 申请（专利权）人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 地址 | 100000北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利涉及一种紫外发光二极管，包括透明电介质层叠结构，所述透明电介质层叠结构设置在发光结构之上，该透明电介质层叠结构包括上下堆叠的多层渐变折射率的透明电介质层；每层电介质层的厚度为d＝λ/4n。通过在出光面镀N层透明电介质作为增透膜，N层增透膜的作用是将有源层的光尽可能以垂直的方式透射出去，增大LED芯片的出光效率，实现高出光效率的紫外LED的制备。 |
