一种LED芯片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911308487.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111276577A | 公开（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申请公布号 | CN111276577A | 申请公布日 | 2020-06-12 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;尉尊康;王雪;张晓娜;李勇强 | 申请（专利权）人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 地址 | 100000北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利公开了一种LED芯片的制造方法，所述方法包括如下步骤：在衬底上生长外延层材料，形成包括多个LED芯片的晶圆模块；在所述衬底上形成多层改质层，包括：在衬底中形成端部改质层，所述端部改质层位于所述衬底内距离衬底厚度方向端部附近；在衬底中形成多个中部改质层,所述中部改质层在所述衬底厚度的方向上比所述端部改质层更接近所述衬底厚度的中心；将所述晶圆模块分裂成多个LED芯片。通过上述技术方案，通过隐形划片形成的改质层，达到衬底侧壁大面积且有规则锯齿形状的粗化效果。通过对衬底侧壁进行粗化，可使部分无法从正面出来的光子，从侧面发出，从而达到提高出光效率。 |
