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一种倒装紫外发光二极管芯片

基本信息

申请号 CN201921515520.0 申请日 -
公开（公告）号 CN211182232U 公开（公告）日 2020-08-04
申请公布号 CN211182232U 申请公布日 2020-08-04
分类号 H01L33/06(2010.01)I 分类 -
发明人 张向鹏;崔志勇;李勇强;薛建凯;王雪;郭凯;张晓娜 申请（专利权）人 北京中科优唯科技有限公司
代理机构 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京中科优唯科技有限公司
地址 100000北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室
法律状态 -

摘要

摘要 本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片，包括：紫外发光二极管的外延结构，所述P型欧姆接触层上设置有多个减薄区域；电流扩散层，所述电流扩散层设置在所述P型欧姆接触层的下表面；随着所述述P型欧姆接触层的表面起伏而与所述述P型欧姆接触层贴合设置；DBR透镜层，所述DBR透镜层设置在所述电流扩散层的下表面，随着电流扩散层的表面起伏而与所述沿着所述电流扩散层贴合设置；正极电极，所述正极电极的一部分穿过所述P型欧姆接触层、电流扩散层与所述P型半导体材料层接触；所述正极电极的另一部分与所述电流扩散层接触；通过上述方案提高了紫外发光二极管芯片的发光亮度。