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一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的方法

基本信息

申请号 CN201610482560.4 申请日 -
公开（公告）号 CN106048713B 公开（公告）日 2018-06-26
申请公布号 CN106048713B 申请公布日 2018-06-26
分类号 C30B11/00;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 朱灿;吕宇君;李斌 申请（专利权）人 山东天岳晶体材料有限公司
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 代理人 苗峻
地址 250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及碳化硅溶液法领域，尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测液面接触高度的方法，采用了采用了高精密度电流计，通过指针的偏转来判断SiC籽晶是否与石墨坩埚内的熔融液面接触，根据电流计显示的确切数值推算出SiC籽晶与熔融液接触的具体高度，确保了晶体生长实验的精确性、接触液面的实时可控，直观有效地得到籽晶所接触液面高度的目的，此外在一定程度上也更好地促进了SiC晶体的可控生长。此外本过程无需人工耗时观察，避免熔融液与外界的气氛对流，避免了观察耗时久、工时长、滞后不及时等弊端，解决了溶液法中存在的这一难题，更利于生产高品质单晶SiC材料。