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一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法

基本信息

申请号 CN201710019521.5 申请日 -
公开（公告）号 CN106757357B 公开（公告）日 2019-04-09
申请公布号 CN106757357B 申请公布日 2019-04-09
分类号 C30B29/36（2006.01）I; C30B33/02（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高超; 宗艳民; 李长进; 李加林 申请（专利权）人 山东天岳晶体材料有限公司
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 代理人 赵斌;苗峻
地址 250100 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于新材料加工技术领域，发明人提供了一种全新的高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法，该方法采用正常获得的碳化硅单晶进行粗加工，切割得到厚度为3‑8mm的晶棒，或加工为厚度为300‑800μm的碳化硅晶片之后对上述晶棒或晶片进行高温快速退火从而获得高纯半绝缘碳化硅衬底，该方法避免了在碳化硅晶体生长过程中进行热场调节，而是直接对加工好的高质量碳化硅单晶进行二次高温快速退火加工，从而在晶片中引入本征点缺陷来实现碳化硅单晶的半绝缘特性，获得的半绝缘碳化硅衬底品质好且加工方法简单，效率较之现有技术更高。