一种自密封碳化硅晶体生长用坩埚装置
基本信息
| 申请号 | CN201721155444.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207862478U | 公开（公告）日 | 2018-09-14 |
| 申请公布号 | CN207862478U | 申请公布日 | 2018-09-14 |
| 分类号 | C30B13/14;C30B29/36 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘鹏飞 | 申请（专利权）人 | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人 | 赵斌;苗峻 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型设计了一种能够自密封的碳化硅晶体生长用坩埚装置，通过将籽晶轴变形和坩埚盖分解等改进，有效的解决了现有技术中坩埚的开放式设计，开口尺寸大于晶体尺寸，籽晶轴直径等于晶体尺寸导致的坩埚内热量损耗大、温度梯度大、物料挥发多、保温材料寿命折损等问题。 |
