一种生长高品质碳化硅晶须的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610482192.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106048728B | 公开（公告）日 | 2018-06-26 |
| 申请公布号 | CN106048728B | 申请公布日 | 2018-06-26 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B29/62;C30B9/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 朱灿;李斌;宋生;张亮 | 申请（专利权）人 | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人 | 苗峻 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于碳化硅溶液法技术领域，尤其涉及一种生长高品质碳化硅晶须的方法，采用了以一种生长装置实现，通过将晶须收集棒和收集板浸入到石墨坩埚中的碳化硅溶液中，通过调整合成位置和合成温度，可调控生长晶须。采用本发明提供了一种生产高品质SiC晶须的方法，生产过程简单，操作性强，生产成本低，可批量化生长可控尺寸的高品质碳化硅晶须。 |
