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一种多通道芯片老化系统及方法

基本信息

申请号	CN202011324523.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112578253B	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN112578253B	申请公布日	2022-03-08
分类号	G01R31/26（2014.01）I;G01R1/04（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	李连城;潘儒胜;郑波;孙鼎;张伟;过开甲;魏志坚	申请（专利权）人	深圳市迅特通信技术股份有限公司
代理机构	深圳市世纪恒程知识产权代理事务所	代理人	关向兰
地址	518000广东省深圳市南山区桃源街道长源社区学苑大道1001号南山智园C3栋701、801
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种多通道芯片老化系统，系统包括：上位机、与老化装置连接的老化电源、与老化电源连接的老化装置；老化装置包括：加电板、跨阻电芯片和至少一块待老化芯片，加电板一端与老化电源连接；跨阻电芯片与加电板另一端连接；至少一块待老化芯片同时与跨阻电芯片连接；固定于老化装置中的焊盘，跨阻电芯片固定于焊盘上且与焊盘连接；壳体；壳体引脚，壳体引脚固定于壳体内侧；插座，插座固定于壳体外侧，插座同时与壳体引脚连接。解决了现有技术中难以实现对APD芯片批量老化、对特殊封装形式的APD芯片进行老化，以及裸芯片直接老化时加电不同引脚间出现不一致性的问题，实现了对不同封装形式的APD芯片进行批量老化，提高芯片老化效果精确性。