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基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法

基本信息

申请号 CN202110238736.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112864321A 公开（公告）日 2021-05-28
申请公布号 CN112864321A 申请公布日 2021-05-28
分类号 H01L49/02 分类 基本电气元件;
发明人 黄昊丹;黄飞明;励晔 申请（专利权）人 无锡硅动力微电子股份有限公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） 代理人 曹祖良;涂三民
地址 214028 江苏省无锡市新吴区珠江路51号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法，在硅衬底上开设有至少四个凹槽，对凹槽的侧面与底面的硅衬底以及硅衬底的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层，在凹槽内均填充有多晶硅，位于最左、右侧凹槽内形成接地多晶硅，位于中部凹槽内形成高压隔离电容器件多晶硅，在多晶硅的上表面设有绝缘覆盖二氧化硅层与绝缘覆盖氮化硅层，在绝缘覆盖层上开设接触孔，在接触孔内设有接地多晶硅引出电极与高压隔离电容器件多晶硅引出电极。本发明的电容器件耐压高且结构简单，本发明的制备方法解决了电容器件的二氧化硅介质层的厚度难以生长的问题，实现了电容器件的高隔离电压。