一种标准硅片的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111420109.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114134558A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114134558A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | C30B13/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李朋飞;徐岩;邢阳阳;徐雯;苟帅斌;左赛虎;曹艳云;常青;王俊;关文涛 | 申请（专利权）人 | 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张一军;王安娜 |
| 地址 | 719208陕西省榆林市佳县工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种标准硅片的制作方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从硅棒上取出硅生长层；将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中；从所述标准溶液中取出所述硅生长层，并对所述硅生长层采用区熔方法进行制作，从而得到标准硅片。该实施方式能够解决不存在能够对施受主元素同时进行掺杂且应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片的制作方法的技术问题。 |
