一种导模法生长β-Ga
基本信息
| 申请号 | CN201921952076.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211848204U | 公开（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申请公布号 | CN211848204U | 申请公布日 | 2020-11-03 |
| 分类号 | C30B15/34(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 武志龙;丁言国;叶崇志 | 申请（专利权）人 | 上海新漫晶体材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201821上海市嘉定区叶城路1611号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种导模法生长β‑Ga2O3晶体的生长装置，包括坩埚、盖板、焊接片、模具组件；在所述坩埚的上方设置相对放置的所述盖板；在盖板中间设置模具组件；在模具组件的两侧与焊接片的一端焊接，焊接片的一端搭接放在坩埚上；盖板与模具组件和焊接片之间无缝隙；利用上述的导模法生长β‑Ga2O3晶体的生长装置生长出来的β‑Ga2O3晶体，直接长出片状晶体，减少了许多工序，有效节省了人工和原料成本，同时，在坩埚上设置锅盖的结构，解决了β‑Ga2O3晶体的组分中存在易挥发物质，会对单晶炉，籽晶等造成污染的技术问题。 |
