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用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚

基本信息

申请号 CN202120958933.7 申请日 -
公开（公告）号 CN215440754U 公开（公告）日 2022-01-07
申请公布号 CN215440754U 申请公布日 2022-01-07
分类号 C30B15/10（2006.01）I;C30B15/34（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 丁言国;武志龙;丁祖兵;陈凯;叶崇志 申请（专利权）人 上海新漫晶体材料科技有限公司
代理机构 上海裕创慧成知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 黄裕
地址 201821上海市嘉定区叶城路1611号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚，钨钼坩埚为发热容器,在钨钼坩埚的外表面喷涂保护涂层,在钨钼坩埚内底中心处设置固定模具组件，在模具组件中的顶端设置凹槽，凹槽用于放置氧化物籽晶,在模具组件底部贯穿设置横向通道，在晶体生长用原料熔融之后，利用导模法中模具组件之间的狭缝所形成的毛细现象，熔体通过模具组件底部贯穿的横向通道上升到模具组件顶端的凹槽处，可得到性能均一的氧化物晶体，采用钨钼坩埚替代铱金坩埚，可降低投资成本和生产成本，解决了氧化物晶体生长时性能不均一以及氧化物晶体生产成本过高的问题。