一种用于晶体生长的铱金坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202020061602.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211595845U | 公开（公告）日 | 2020-09-29 |
| 申请公布号 | CN211595845U | 申请公布日 | 2020-09-29 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 丁言国;叶崇志;丁祖兵;陈凯 | 申请（专利权）人 | 上海新漫晶体材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201821上海市嘉定区叶城路1611号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于晶体生长的铱金坩埚，是通过在铱金坩埚侧壁极易出现变形的地方增加一种加强筋从而增加铱金坩埚侧壁的强度，以及对铱金坩埚的外表面喷涂一种致密的耐高温保护涂层，将铱金坩埚的外表面包裹起来，从而阻止铱金挥发和逸散到环境大气中，达到降低铱金坩埚变形的目的。该实用新型铱金坩埚用来生长熔点超过2000℃的LYSO晶体，晶体生长持续时间为15天，经过多次生长晶体后，铱金坩埚表面无明显的铱金挥发和明显的变形现象，保护涂层没有出现脱落和开裂的现象，晶体产业化生产比较稳定，铱金坩埚可以反复使用周期达到20次以上，从而有效的降低晶体产业化生产成本。 |
