亚微米制程下VDD与VSS间的ESD防护结构
基本信息
| 申请号 | CN201310059137.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103117280A | 公开（公告）日 | 2013-05-22 |
| 申请公布号 | CN103117280A | 申请公布日 | 2013-05-22 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张雷;蒋毅强 | 申请（专利权）人 | 无锡凌湖科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙力坚 |
| 地址 | 214035 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园A幢5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种亚微米制程下VDD与VSS间的ESD防护结构，包括由电阻、电容和一个由PMOS和NMOS组成的反相器所构成的RC侦测电路，以及一个N型STFOD器件；所述RC侦测电路的反相器输出端通过一个P+扩散区连接到所述N型STFOD器件的背栅基底。本发明不仅结合了GCMOS的RC耦合特点，而且利用了GGMOS的寄生NPN旁通ESD放电电流的特性。达到了保护IC内部电路的功能，同时只占用很小的布局面积，从而节省了IC产品的成本。 |
