导电结构的制备方法和薄膜晶体管阵列基板的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911167176.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112838049A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112838049A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L27/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄展宽;赫义煊;周文丰;吴超 | 申请（专利权）人 | 深超光电（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐丽 |
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种导电结构的制备方法，其包括以下步骤：形成导电层；于所述导电层上形成光阻层；以及利用所述光阻层对所述导电层进行图案化，形成导电结构，所述导电结构相较于所述光阻层的双边关键尺寸偏差为0.3微米至0.8微米。还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法。 |
