高热稳定性和低电阻率C掺杂Cu薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200910312326.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101748373B | 公开（公告）日 | 2011-03-16 |
| 申请公布号 | CN101748373B | 申请公布日 | 2011-03-16 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李晓娜;聂利飞;董闯 | 申请（专利权）人 | 大连理工大学技术转移中心有限公司 |
| 代理机构 | 大连星海专利事务所 | 代理人 | 大连理工大学;大连理工常州研究院有限公司 |
| 地址 | 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高热稳定性和低电阻率C掺杂Cu薄膜的制备方法，属于新材料领域。该制备方法利用混合焓和原子尺寸作为添加元素判据，辅助以相图，选择C为掺杂元素；并以固溶体模型为理论依据，于Si基体上溅射Cu（4at%C）薄膜。薄膜制备工艺步骤是：基片清洗、设备抽取真空、溅射过程。其中溅射功率为340w，溅射时间为20min，氩气流量为220sccm，工作气压为0.6Pa，得到250nm厚的C掺杂Cu薄膜。由于Cu膜中元素C的适量加入,以及形成的自钝化非晶层，可以有效的阻挡Cu-Si之间的扩散，薄膜真空退火后可以得到低电阻率的Cu薄膜，C的加入提高了Cu膜的热稳定性能。 |
