半导体器件制备方法及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202011461968.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112271209B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN112271209B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李马惠;师宇晨;张海超;穆瑶 | 申请（专利权）人 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李鹏威 |
| 地址 | 710000陕西省西安市西咸新区沣西新城总部经济园9号楼1311室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；在所述有源层远离所述第一限制异质结层的表面生长第二限制异质结层；其中，沿所述第一包覆层至所述第二限制异质结层方向上，所述第一限制异质结层的禁带宽度逐渐变小，所述第二限制异质结层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可以加快载流子在异质结中移动，从而降低了载流子在异质结中的渡越时间，提高了载流子注入效率。 |
