一种10G抗反射激光器及其制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010415177.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111541149A | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN111541149A | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | H01S5/12;H01S5/22 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董延;李马惠;潘彦廷 | 申请（专利权）人 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 姚咏华 |
| 地址 | 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种10G抗反射激光器及其制备工艺，10G抗反射激光器包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层，第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区，端面刻蚀区底部位于基板内，且端面刻蚀区内生长有抗反射改善层；衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层，基板下表面镀有n‑金属电极层，抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层，另一端镀上高反射镀膜层。对接区域的光波导层厚度加厚以及光波导层对有源区端面的包覆，有效的提高了有源区光耦合至光波导层的耦光效率；并且出光端面的反射光在经过光波导的反向传输路径中，能有效衰减至不影响原激光器增益区域的谐振行为。 |
