一种铝量子阱激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110628970.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113078553B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113078553B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01S5/12（2021.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张海超;穆瑶;师宇晨;李马惠;潘彦廷 | 申请（专利权）人 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 马贵香 |
| 地址 | 712000陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种铝量子阱激光器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。 |
