动态随机存取记忆体，储存资料及读取和刷新的方法
基本信息
| 申请号 | TW105142998 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | TW201802811A | 公开（公告）日 | 2018-01-16 |
| 申请公布号 | TW201802811A | 申请公布日 | 2018-01-16 |
| 分类号 | G11C11/406;G11C11/4076;G11C11/4096;G11C29/02;G11C29/44 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘波 | 申请（专利权）人 | 深圳星忆存储科技有限公司 |
| 代理机构 | 赖正健;陈家辉 | 代理人 | 深圳星忆存储科技有限公司 |
| 地址 | 中国大陆 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示一种具有编码位元和自我刷新功能的动态随机存取记忆体(DRAM)在一个特定示范性实施例中，将至少一个编码位元附加到N个位元的使用者资料中从而形成新的编码资料使用者资料储存在复数个使用者资料子阵列上，编码位元储存在相应的编码位元子阵列上基於每个使用者指定的行地址和列地址，每个子阵列储存至少一个位元在刷新操作或使用者操作中独立地对每个子阵列进行控制刷新操作一次只在复数个子阵列中的至少一个子阵列上进行，使用者操作则在复数个子阵列的其他子阵列上进行错误检测和纠正电路使用编码位元并根据进行刷新的子阵列的地址资讯来检测错误并纠正位元错误使用者读取操作和内部刷新操作可以同时进行 |
