三位准单元的动态随机存取记忆体及其读取方法
基本信息
| 申请号 | TW105125763 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | TW201711031A | 公开（公告）日 | 2017-03-16 |
| 申请公布号 | TW201711031A | 申请公布日 | 2017-03-16 |
| 分类号 | G11C11/56;G11C11/419 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘波 | 申请（专利权）人 | 深圳星忆存储科技有限公司 |
| 代理机构 | 赖正健;陈家辉 | 代理人 | 深圳星忆存储科技有限公司 |
| 地址 | 中国大陆 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种三位准单元的动态随机存取记忆体及其读取方法三位准单元的动态随机存取记忆体(DRAM)将三种电压位准(0，VDD/2，VDD)储存在复数个记忆单元上选定的记忆单元连接到位线(BLT)以产生讯号电压，相邻的参考位元线(BLR)产生VDD/2参考电压使用一种不对称灵敏放大器(ASA)判断讯号电压和参考电压的不同和相同，该放大器具有正偏移电压和负偏移电压ASA的控制讯号A和讯号B在不同的时间点进行切换、或在不同的电压位准进行切换或者二者的结合，以将偏移电压设置在正极性或负极性可以从同一个ASA连续读取两次或者从两个ASA进行一次单独读取，以读取储存单中继资料到本地IOASA的输出将用於将电压恢复到访问的记忆单元 |
