动态随机存取存储器,储存数据及读取和刷新的方法
基本信息
申请号 | CN201611088874.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106782633A | 公开(公告)日 | 2017-05-31 |
申请公布号 | CN106782633A | 申请公布日 | 2017-05-31 |
分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C11/406(2006.01)I;G11C11/4096(2006.01)I;G11C11/4076(2006.01)I;G11C11/4074(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I;G11C29/02(2006.01)I;G11C8/18(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
发明人 | 刘波 | 申请(专利权)人 | 深圳星忆存储科技有限公司 |
代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 李丙林;曹桓 |
地址 | 518057 广东省深圳市南山区科技中三路国人通信大厦A座1101A室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 动态随机存取存储器,储存数据及读取和刷新的方法。本发明揭示一种具有编码比特和自我刷新功能的动态随机存取存储器(DRAM)。在一个特定示范性实施例中,将至少一个编码比特附加到N个比特的用户数据中从而形成新的编码数据。用户数据储存在若干个用户数据子阵列上,编码比特储存在相应的编码比特子阵列上。基于每个用户指定的行地址和列地址,每个子阵列储存至少一个比特。在刷新操作或用户操作中独立地对每个子阵列进行控制。刷新操作一次只在若干个子阵列中的至少一个子阵列上进行,用户操作则在若干个子阵列的其他子阵列上进行。错误检测和纠正电路使用编码比特并根据进行刷新的子阵列的地址信息来检测错误并纠正比特错误。用户读取操作和内部刷新操作可以同时进行。 |
