一种等离子体化学气相沉积设备的掩膜框架
基本信息
申请号 | CN201811215472.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109487228A | 公开(公告)日 | 2019-03-19 |
申请公布号 | CN109487228A | 申请公布日 | 2019-03-19 |
分类号 | C23C16/04 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 高桥;黄德军 | 申请(专利权)人 | 芜湖研历光电科技有限公司 |
代理机构 | 北京元本知识产权代理事务所 | 代理人 | 范奇 |
地址 | 241100 安徽省芜湖市芜湖县安徽新芜经济开发区芜屯快速通道4588号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明的一种等离子体化学气相沉积设备的掩膜框架,涉及化学气相沉积领域,包括横掩膜架和竖掩膜架,所述横掩膜架的左右两端与连接块固定连接,所述竖掩膜架的左右两端与连接端头固定连接,所述连接块的上下两侧面设有锁紧槽,所述连接端头的左侧设有连接槽,所述连接槽的右侧壁内部设有驱动机构,连接槽的上下两侧壁内部设有联动机构,所述驱动机构与联动机构的一端接触连接,所述联动机构的另一端与锁紧槽活动连接,由于横掩膜架和竖掩膜架均采用陶瓷材质,避免了掩膜架与顶针摩擦时产生尘埃,使掩膜架的更换频率大大降低,提高了设备使用效率,在掩膜架更换或清洗时,可通过驱动机构和联动机构方便的实现拆卸和安装,降低了人力物力成本。 |
