一种等离子体化学气相沉积设备的掩膜框架

基本信息

申请号 CN201811215472.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109487228A 公开(公告)日 2019-03-19
申请公布号 CN109487228A 申请公布日 2019-03-19
分类号 C23C16/04 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 高桥;黄德军 申请(专利权)人 芜湖研历光电科技有限公司
代理机构 北京元本知识产权代理事务所 代理人 范奇
地址 241100 安徽省芜湖市芜湖县安徽新芜经济开发区芜屯快速通道4588号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的一种等离子体化学气相沉积设备的掩膜框架,涉及化学气相沉积领域,包括横掩膜架和竖掩膜架,所述横掩膜架的左右两端与连接块固定连接,所述竖掩膜架的左右两端与连接端头固定连接,所述连接块的上下两侧面设有锁紧槽,所述连接端头的左侧设有连接槽,所述连接槽的右侧壁内部设有驱动机构,连接槽的上下两侧壁内部设有联动机构,所述驱动机构与联动机构的一端接触连接,所述联动机构的另一端与锁紧槽活动连接,由于横掩膜架和竖掩膜架均采用陶瓷材质,避免了掩膜架与顶针摩擦时产生尘埃,使掩膜架的更换频率大大降低,提高了设备使用效率,在掩膜架更换或清洗时,可通过驱动机构和联动机构方便的实现拆卸和安装,降低了人力物力成本。