一种三维多孔石墨烯超级电容电极材料及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201810248743.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108470627B | 公开(公告)日 | 2020-11-20 |
申请公布号 | CN108470627B | 申请公布日 | 2020-11-20 |
分类号 | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/86 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 蒋健伟;孙志鹏 | 申请(专利权)人 | 苏州欧纳克纳米科技有限公司 |
代理机构 | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 | 代理人 | 河南格拉芬新材料科技有限公司;苏州欧纳克纳米科技有限公司 |
地址 | 450000 河南省郑州市高新技术产业开发区金梭路33号1号楼2单元12层606室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及超级电容器技术领域,特别是涉及一种多孔状三维石墨烯超级电容器电极材料,包括泡沫金属,所述泡沫金属表面以及泡沫金属的内孔壁面沉积有石墨烯。本发明本发明提供了一种三维多孔石墨烯超级电容电极材料及其制备方法,该方法是基于现有CVD法制备三维多孔石墨烯材料的改进,可以快速生长较厚的三维多孔石墨烯材料,并且工艺简单,生产高效,成本低、环保、便于产业化。 |
