一种碳化硅晶锭生长装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202210519335.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114737249A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114737249A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李有群;贺贤汉;周杰;吴寒 | 申请（专利权）人 | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 铜陵市天成专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 244000安徽省铜陵市经济开发区西湖三路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶锭生长装置，涉及碳化硅晶锭技术领域，包括筒体，筒体内设有加热内胆，筒体上部设有盖体；筒体上贯穿设有多个投料管，投料管的一端穿过加热内胆延伸至加热内胆的内部，并固定有坩埚；多个坩埚在加热内胆的内部排布呈倒立的堆型结构；每个投料管上连接有储料箱，储料箱与投料管之间设有投料机构；盖体的下方设有可旋转的碳化硅晶锭生长板，碳化硅晶锭生长板的上方设有冷却槽。本发明还提出了一种碳化硅晶锭生长的方法，通过碳化硅与掺杂物质之间升华的方式生长出碳化硅晶锭。本发明可使碳化硅与掺杂剂进行同步升华立体分布混合，生成出掺杂浓度更加均匀的半绝缘碳化硅晶锭，提高了半绝缘碳化硅晶锭的质量。 |
