一种碳化硅晶片减薄装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202210519304.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114714234A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114714234A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | B24B29/02（2006.01）I;B24B55/03（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 姚智勇;贺贤汉;李有群;蔡佳琳;吴寒 | 申请（专利权）人 | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 铜陵市天成专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 244000安徽省铜陵市经济开发区西湖三路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了碳化硅晶片减薄领域的，具体为一种碳化硅晶片减薄装置，操作室和安装箱，所述安装箱顶端设置有抛光机构，所述操作室内侧壁设置有间歇起伏机构，所述间歇起伏机构包括两个转动盘和两V形牵引架，所述转动盘对称转动连接在操作室内侧壁上，其中一个所述转动盘表面传动连接有第一电机，所述第一电机固定连接在操作室外侧壁上，所述V形牵引架上均开设有牵引弧槽，两个所述转动盘表面共同固定连接有推动杆。本发明通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，导致抛光效率降低。 |
