硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910458968.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112011788A | 公开（公告）日 | 2020-12-01 |
| 申请公布号 | CN112011788A | 申请公布日 | 2020-12-01 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 龙永灯;杨苗 | 申请（专利权）人 | 成都珠峰永明科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张丽颖 |
| 地址 | 610200四川省成都市自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区空港四路2002号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，包括：提供硅片衬底到反应器腔室中；提供含硅和氢的第一气体到所述反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；对所述第一等离子气相沉积后的所述反应器腔室进行抽真空；提供含氢的第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积；其中在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动。本技术方案在工艺过程中可以一步完成，反应器腔室不用破空，非晶硅膜层成膜均匀，提升了工艺效率，提高了产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。 |
