一种基于NMOS晶体管的90°移相器
基本信息
| 申请号 | CN200910303640.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101599751B | 公开（公告）日 | 2012-04-18 |
| 申请公布号 | CN101599751B | 申请公布日 | 2012-04-18 |
| 分类号 | H03H11/18(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 雷牡敏;张海英 | 申请（专利权）人 | 天津中科海润微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;天津中科海润微电子技术有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。所述90°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一输出端和第二输出端构成；所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的NMOS晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明基于NMOS晶体管的90°移相器用低成本、低功耗的CMOS工艺，小面积实现宽带90°移相，并具有以下两个优点，一是没有传输损耗，能通过有源元件调整其增益；二是与标准CMOS工艺兼容，成本低，功耗低，集成度高且工作频带宽。 |
