深紫外LED芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111296796.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113745382B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN113745382B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L33/20（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 杭州若奇技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 赵丽恒 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种深紫外LED芯片，涉及LED芯片制作技术领域，包括：生长衬底和成形于生长衬底上的外延层，P型半导体层远离生长衬底的一面与N型半导体层远离生长衬底的面之间能够形成台阶，P型半导体层远离生长衬底的面为上台阶面，N型半导体层远离生长衬底的面为下台阶面，连接上台阶面和下台阶面之间的面为台阶侧面，台阶侧面包括阻挡层的侧面、发光层的侧面和P型半导体层的侧面，P型半导体层和发光层的侧面形成上侧面，阻挡层的侧面形成下侧面，上侧面与水平面之间的夹角小于下侧面与水平面之间的夹角；本发明还提供了一种如上所述的深紫外LED芯片的制造方法；本发明提供的方案提高了出光效率且能够降低芯片的稳态电压。 |
