半导体红光激光器
基本信息
| 申请号 | CN202022817278.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214379252U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214379252U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01S5/34（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张立群;黄勇 | 申请（专利权）人 | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位（集群登记） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本实用新型采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。 |
