双色红外探测器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110103882.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112786731A | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN112786731A | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄勇;张立群 | 申请（专利权）人 | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位（集群登记） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测器的制作方法。本发明的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。 |
