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半导体红光激光器及其制作方法

基本信息

申请号	CN202011370046.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112382929A	公开（公告）日	2021-02-19
申请公布号	CN112382929A	申请公布日	2021-02-19
分类号	H01S5/34(2006.01)I;	分类	基本电气元件;
发明人	张立群;黄勇	申请（专利权）人	苏州晶歌半导体有限公司
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司	代理人	孙伟峰;武岑飞
地址	215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位（集群登记）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本发明还公开了一种半导体红光激光器的制作方法。本发明采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。