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红外探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN201710509150.9	申请日	-
公开（公告）号	CN109148638B	公开（公告）日	2020-03-27
申请公布号	CN109148638B	申请公布日	2020-03-27
分类号	H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032	分类	基本电气元件;
发明人	黄勇;赵宇;熊敏;吴启花	申请（专利权）人	苏州晶歌半导体有限公司
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司	代理人	孙伟峰
地址	215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格。所述红外探测器的制备方法包括：提供一衬底；从下而上依次在所述衬底上生长形成接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格；分别在所述接触层上沉积第一电极、在所述电子势垒层上沉积第二电极。本发明提供的红外探测器的空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格，空穴势垒层中不含铝，降低了材料生长和加工的难度、提升了稳定性和可靠性。