红外探测器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011345739.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112310234A | 公开（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申请公布号 | CN112310234A | 申请公布日 | 2021-02-02 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张立群;黄勇 | 申请（专利权）人 | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城20号楼3层300-44工位（集群登记） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAs/GaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本发明还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法。 |
