一种高取向磁性吸波薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN202011506718.X 申请日 -
公开(公告)号 CN112712995A 公开(公告)日 2021-04-27
申请公布号 CN112712995A 申请公布日 2021-04-27
分类号 H01F41/16;H05K9/00 分类 基本电气元件;
发明人 李维佳;张宏亮;王慧;左超;周畅;阙智勇;陈良 申请(专利权)人 成都佳驰电子科技股份有限公司
代理机构 成都巾帼知识产权代理有限公司 代理人 邢伟
地址 610000 四川省成都市郫都区成都现代工业港南片区新经济产业园文明街西段288号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高取向磁性吸波薄膜的制备方法,属于磁性材料技术领域,包括以下步骤:S1.磁性吸收剂浆料制备;S2.磁性薄膜制备;S3.磁性薄膜取向:在磁性薄膜未干燥之前,将制得的磁性薄膜通过高频转化的周期磁场,对磁性薄膜进行磁场取向;磁性薄膜通过单一周期、多周期平行排布或交叉排布的高频转化周期磁场,使磁性吸收剂的粉末高速震动并向膜带方向运动至平行;S4.磁性薄膜烘干;S5.磁性薄膜成型。通过对磁性吸波薄膜的高频周期性磁场取向,使磁性吸波薄膜具有更好的取向效果,在不使用大型高压压膜设备的条件下,制备高取向磁性薄膜,提高磁性薄膜磁导率与磁损耗。