低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710126852.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106876450A | 公开（公告）日 | 2017-06-20 |
| 申请公布号 | CN106876450A | 申请公布日 | 2017-06-20 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡欣 | 申请（专利权）人 | 上海矽望电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海大视知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海矽望电子科技有限公司;张帅;黄昕;济南安海半导体有限公司 |
| 地址 | 200093 上海市杨浦区周家嘴路3805号3128室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种采用了该发明的低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。在该方法中，由于其首先在衬底的顶部形成凸出于衬底顶部的厚栅氧区，并在该厚栅氧区之上形成作为栅极的多晶硅，从而利用该厚栅氧增加了栅漏电容介质层的厚度，同样的还可以进一步减少栅极与漏极覆盖区域的面积，减小栅漏电容，降低开关损耗，提升场效应晶体管的性能，进而使本发明的低栅漏电容的纵向场效应晶体管更适用于高频应用，且该低栅漏电容的纵向场效应晶体管的结构简单，制造方法简便，生产及应用成本也较为低廉。 |
