硅基三维立体集成收发前端
基本信息
申请号 | CN202110648609.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113539998A | 公开(公告)日 | 2021-10-22 |
申请公布号 | CN113539998A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I;H04B1/40(2015.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 沈国策;周骏;师建行;杨东升 | 申请(专利权)人 | 南京国博电子股份有限公司 |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 施昊 |
地址 | 211111江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了硅基三维立体集成收发前端,包括硅基天线辐射层、天线馈电网络层、射频信号垂直传输层、封装芯片模组层和输入/输出端口层;天线馈电网络层中包含一密闭的空气腔结构,射频信号垂直传输层的内部集成有高密度的三维立体垂直硅通孔,射频信号垂直传输层通过圆片级键合工艺与天线馈电网络层键合;封装芯片模组层通过FanOut封装工艺在内部集成了射频收发芯片、波束控制芯片和电源调制芯片,各芯片之间通过多层重布线进行互连;输入/输出端口层的内部集成有高密度的球栅阵列。本发明将天线、TSV和封装芯片模组三维立体集成为射频收发前端,具有体积小、重量轻、集成度较高等技术优势。 |
