基于SRAM的存储器结构及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201710843384.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107910032A | 公开（公告）日 | 2018-04-13 |
| 申请公布号 | CN107910032A | 申请公布日 | 2018-04-13 |
| 分类号 | G11C14/00 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 骆志炯;金晓明;王澍 | 申请（专利权）人 | 上海博维逻辑半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海博维逻辑半导体技术有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 这里总体上描述了用于基于静态随机存取存储器SRAM的存储器结构及其方法的技术，例如具有阵列SRAM和NVM的多位非易失性静态随机存取存储器nvSRAM、或SRAM缓冲的一次性可编程OTP存储器、RRAM或其他电阻RAM。 |
