一种去除金属硅中P、B杂质的新方法
基本信息
| 申请号 | CN200710049165.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101070159A | 公开（公告）日 | 2007-11-14 |
| 申请公布号 | CN101070159A | 申请公布日 | 2007-11-14 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01) | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 刘钢;雷智;张静全;彭鑫 | 申请（专利权）人 | 成都晶硅科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 610051四川省成都市建材路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种去除金属硅中P、B杂质的新方法，本项发明所属域为新型光电子材料。为了解决金属硅中P、B杂质元素难于用分凝系数法去掉的问题，需要将P、B杂质元素变成P、B氧化物杂质，利用P、B氧化物分凝系数与硅差异较大的特点，在驱融提纯过程中将P、B氧化物杂质去掉，以达到提纯硅的目的。本发明结合驱融提纯法技术和等离子技术，在驱融法提纯硅的同时，引入一个等离子喷枪置于硅熔融区让湿氧通过氩等离子喷焰，形成部分氧等离子，氧等离子轰击熔融硅表面，与其中的P、B杂质元素反应，形成P、B氧化物，从而去掉P、B杂质元素。 |
