一种晶圆减薄方法

基本信息

申请号 CN202110645550.9 申请日 -
公开(公告)号 CN113380614A 公开(公告)日 2021-09-10
申请公布号 CN113380614A 申请公布日 2021-09-10
分类号 H01L21/304(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张韶轩;温虎;郭靖 申请(专利权)人 东莞安晟半导体技术有限公司
代理机构 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 王庆海;刘军锋
地址 510700广东省广州市黄埔区科学大道18号A栋410房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及晶圆处理技术领域,具体涉及一种晶圆减薄方法,取一衬底进行预处理;在待处理的晶圆表面覆上胶体层,测量胶体层的厚度,控制胶体层的厚度在预定范围内;将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理,待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离。以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理,使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑,可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险,提高晶圆的生产质量,有利于提高产品的良品率。