首页/ 江苏晟华半导体有限公司/ 专利详情

一种MOSFET器件

基本信息

申请号 CN202120566250.7 申请日 -
公开（公告）号 CN214279986U 公开（公告）日 2021-09-24
申请公布号 CN214279986U 申请公布日 2021-09-24
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/62（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王礼选 申请（专利权）人 江苏晟华半导体有限公司
代理机构 北京冠和权律师事务所 代理人 吴金水
地址 224000江苏省盐城市盐都区盐龙街道智能终端创业园南区S3号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种MOSFET器件，包括：壳体、晶体芯片、S引脚、D引脚、G引脚、加强筋和插槽，所述晶体芯片安装于所述壳体内，所述插槽开设于所述壳体侧端，且所述插槽槽底端连通于所述壳体内，所述S引脚、D引脚以及G引脚均自所述插槽伸入壳体内，且所述S引脚和G引脚焊接于所述晶体芯片上，所述S引脚靠近插槽端、所述D引脚靠近插槽端以及所述G引脚靠近插槽端均固定连接有加强筋。本实用新型提供的一种MOSFET器件的引脚在被折弯时，能得到加强筋的保护，不易将晶体壳挤压变形，造成晶体管损坏，且结构简单，操作方便。