一种MOSFET器件的制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011581632.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112701053B | 公开（公告）日 | 2021-10-26 |
| 申请公布号 | CN112701053B | 申请公布日 | 2021-10-26 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L21/336;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许海东;王礼选 | 申请（专利权）人 | 江苏晟华半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京冠和权律师事务所 | 代理人 | 吴金水 |
| 地址 | 224000 江苏省盐城市盐都区盐龙街道智能终端创业园南区S3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种MOSFET器件的制作工艺，包括步骤一，在引脚侧壁加工插槽；步骤二，将引脚和晶体管芯片的输出端进行焊接；步骤三，将焊接有引脚的晶体管芯片嵌入外壳内并固定；步骤四，将加强筋插接部位插接入引脚的插槽内；步骤五，使用焊接装置使加强筋和引脚焊接固定。本发明的目的在于提供一种减小晶体管损坏的概率的MOSFET器件。 |
