一种高磁性能1:5纯钐钴永磁体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010885615.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112103068B | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN112103068B | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01F41/02（2006.01）I;H01F1/055（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯建涛;赵宇;卓宇;樊金奎 | 申请（专利权）人 | 杭州永磁集团有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 俞润体 |
| 地址 | 311201浙江省杭州市萧山区钱江农场一分场永磁工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高磁性能1:5纯钐钴永磁体的制备方法，包括如下步骤：一、熔炼，速凝甩片；二、粗破碎；三、精磨制粉；四、压制成型；五、烧结。本发明的有益效果是：通过分别制备两种成分及粒度接近的主相合金粉末，分别充当富钐相与富钴相，利用两相间的耦合效应获得对温度稳定，密度致密的磁体，可以消除钐挥发、氧化的风险，磁性能得到有效提高。 |
