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高性能抗氢腐蚀的钐钴磁体

基本信息

申请号 CN202121686679.6 申请日 -
公开（公告）号 CN215578003U 公开（公告）日 2022-01-18
申请公布号 CN215578003U 申请公布日 2022-01-18
分类号 H01F7/02（2006.01）I;H01F27/08（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郑细来;赵宇;徐玲燕;胡金辉;卓宇;梁鹏;邓晓飞 申请（专利权）人 杭州永磁集团有限公司
代理机构 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） 代理人 沈相权
地址 311201浙江省杭州市萧山区宁围永磁工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了高性能抗氢腐蚀的钐钴磁体，包括钐钴磁体钐钴本体，钐钴磁体钐钴本体的底部固定安装有缓冲垫，钐钴磁体钐钴本体的外表面固定安装有三氧化二铝膜，本实用新型涉及钐钴磁体技术领域。该高性能抗氢腐蚀的钐钴磁体，通过设置一种降温导热机构，当钐钴磁体钐钴本体在工作环境过高的情况下工作时，由于石墨烯具有吸热作用，此时石墨烯导热板对热量进行吸收，并对其保存，并通过传热杆进行传递，并通过散热板上的散热孔进行散热处理，三氧化二铝膜和铝化镍膜可以显著提高钐钴磁体钐钴本体的高温的耐氧化性，通过这样操作可以实现对钐钴磁体钐钴本体的降温导热作用，保护了钐钴磁体钐钴本体内部结构不受损坏。