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一种高性能低矫顽力温度系数的钐钴磁体

基本信息

申请号 CN202121687283.3 申请日 -
公开（公告）号 CN215578006U 公开（公告）日 2022-01-18
申请公布号 CN215578006U 申请公布日 2022-01-18
分类号 H01F7/02（2006.01）I;H01F27/02（2006.01）I;H01F1/059（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘海珍;徐道兵;赵宇;卓宇;李欢;胡金辉;邓晓飞 申请（专利权）人 杭州永磁集团有限公司
代理机构 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） 代理人 沈相权
地址 311201浙江省杭州市萧山区宁围永磁工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高性能低矫顽力温度系数的钐钴磁体，涉及磁铁技术领域，包括钐钴磁体本体，钐钴磁体本体的外部设置有防护组件，防护网罩在钐钴磁体本体的外部，起到加固磁体的作用，钐钴磁体本体意外碎裂时防护网能够避免碎屑飞溅，而且网孔设计为漏斗状，更好的避免碎裂的伤人现象，此外防护网开设若干网孔能够使该构件轻量化，缓冲层以及其内壁设置的缓冲块能够在钐钴磁体受到撞击时吸收外部的作用力，避免外力直接作用在磁体本身，从而对磁体起到较好的保护作用，耐高温层能够提高钐钴磁体本体的工作温度，从而拓宽其工作温度范围，耐腐蚀层能够避免钐钴磁体本体受到腐蚀，从而延长其使用寿命。