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一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN202210175071.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114560468A 公开（公告）日 2022-05-31
申请公布号 CN114560468A 申请公布日 2022-05-31
分类号 C01B33/18（2006.01）I;C09G1/02（2006.01）I;C09K3/14（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 无机化学;
发明人 秦冬霞;司徒粤;黄丹;程翔;梁少彬 申请（专利权）人 金三江（肇庆）硅材料股份有限公司
代理机构 广州科沃园专利代理有限公司 代理人 -
地址 526238广东省肇庆市高新区迎宾大道23号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用。本发明提供的化学机械抛光用纳米球形二氧化硅的制备方法，以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源，聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物（P123）和自制的表面活性剂为结构导向剂，乙醇和水为共溶剂，各组分按特定的比例进行反应，可有效调控二氧化硅的梯度粒径至20~100nm，且粒径均一性好，有利于提高二氧化硅的分散性，应用于化学机械抛光液中，可以有效提高化学机械抛光的速率，减少材料抛光后的表面粗糙度，是作为半导体器件的化学抛光机械抛光液良好的磨料。