半导体激光器的封装结构及叠阵结构

基本信息

申请号 CN201910805728.4 申请日 -
公开(公告)号 CN110544871A 公开(公告)日 2019-12-06
申请公布号 CN110544871A 申请公布日 2019-12-06
分类号 H01S5/022(2006.01); H01S5/40(2006.01) 分类 基本电气元件;
发明人 刘鸣; 石钟恩; 郑艳芳; 付团伟 申请(专利权)人 西安域视光电科技有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 西安域视光电科技有限公司
地址 710000 陕西省西安市高新区丈八六路56号1号楼2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体激光器的封装结构及叠阵结构,涉及半导体器件封装技术领域。该叠阵封装结构包括:包括:半导体激光芯片、导电衬底、补强片。半导体激光芯片的两个键合面各与一个导电衬底平行且键合。补强片固定于导电衬底的侧面,且补强片平行于半导体激光芯片与导电衬底的堆叠方向,其中,补强片的热膨胀系数大于半导体激光芯片和导电衬底组合体的膨胀系数,使得补强片对半导体激光芯片和陶瓷基板在厚度方向施加足够的压应力,与半导体激光芯片和导电衬底自身厚度方向上的拉应力相抵消,降低了GS结构中半导体激光芯片开裂的风险。