氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201110208967.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102299482B | 公开（公告）日 | 2013-06-19 |
| 申请公布号 | CN102299482B | 申请公布日 | 2013-06-19 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾畅;张书明;刘建平;王辉;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉 | 申请（专利权）人 | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京华夏博通专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏州纳睿光电有限公司;杭州增益光电科技有限公司 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号C420 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。 |
