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半导体激光二极管及其封装方法

基本信息

申请号	CN201310394933.9	申请日	-
公开（公告）号	CN104426050B	公开（公告）日	2018-07-06
申请公布号	CN104426050B	申请公布日	2018-07-06
分类号	H01S5/02	分类	基本电气元件;
发明人	周坤;李德尧;张书明;刘建平;张立群;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉	申请（专利权）人	苏州纳睿光电有限公司
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司	代理人	杨林;李友佳
地址	215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。